IGBT是一種VDMOS與雙極晶體管的組合器件，集MOSFET和GTR的優(yōu)點于一體，即具有功率MOSFET高輸入阻抗、高速、熱穩(wěn)定性好、驅動功率小的特點，又具有GTR通態(tài)電壓低、導電損耗小而耐壓高的優(yōu)點，能很好地滿足要求。
采用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）設計電力電子開關可滿足及時開通、及時關斷，消除延時，三相分合閘同時，運行時無噪聲，是理想的開關元器件，并為高質量地開展系統(tǒng)暫態(tài)穩(wěn)定試驗提供了前提?；诖耍兄埔惶子肐GBT動態(tài)開關實現(xiàn)的斷路和短路裝置ABFSD（Advanced Breaking Fault Simulation Device）。
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）開關是以IGBT為核心實現(xiàn)的電力電子開關。由于IGBT是電壓驅動器件，故其基本工作原理是當柵極加上正控電壓時，陽極電流導通；當柵極加上零電壓時，陽極電流斷開。
從理上講，開關可分用串聯(lián)和并聯(lián)兩種方式來實現(xiàn)。由于IGBT內部存在電容，在實際關斷實驗時，發(fā)現(xiàn)串聯(lián)形式開關無法截止交流電流；而并聯(lián)形式開關采用分別串聯(lián)同向二極管則可。故開關形式選擇為IGBT串同向二極管會反并聯(lián)，又因斷路器分合的是大電感負載，為防止浪涌電壓過高，在開關兩側并入電阻電容吸收回路。
會員中心
